2020-3-16 16:40:22
砷化鎵技術-Alta
砷化鎵（GaAs）因其優異的性能和可靠性，代表了光伏技術的領先水平。傳統的GaAs電池片極其昂貴，重且易碎，完全不適于移動電源系統。Alta Devices砷化鎵高效薄膜太陽能電池技術則具有高效率、低成本、發電性能優異等特點，且產品輕質柔性，可完美地應用于移動電源系統。
Alta Devices在GaAs芯片上采用金屬有機物氣相沉積MOCVD技術完成光伏器件的外延生長，并采用濕法工藝把器件連同柔性襯底從芯片上剝離下來，之后根據用戶需求，制成不同尺寸的產品。Alta Devices自主開發的MOCVD快速生長技術和大面積外延層剝離技術，使其具有很大的成本降低潛力，并適合規模化生產。
銅銦鎵硒技術-GSE
GSE采用柔性共蒸發CIGS技術。該技術是在30微米厚不銹鋼襯底上通過卷對卷生產工藝（Roll to Roll）均勻沉積CIGS太陽電池器件的各功能性膜層，其優勢為通過采用多點分布式蒸發源，提高沉積膜厚度均勻性；共蒸工序時間短（<4min）；原材料易獲得（Cu、In、Se顆粒，Ga液態）；雙XRF監測共蒸發沉積膜厚及成分，偏離目標時自動調節蒸發源進行補償；原材料利用率高，共蒸室壁的材料可以充分回收利用；粉塵處理容易（更換護板），蒸發源維護便捷（6小時維護時間）。
此外，GSE還擁有獨有的ICI（Integrated Cell Interconnect）封裝技術。該技術采用圖形化的鍍膜方式制備內部結構更加致密的銅前電極，減少了遮擋面積，降低了元件串聯電阻，并通過激光焊接方式完成電池極連接，消除了短路問題，從電池到組件的效率損失大幅減小。
銅銦鎵硒技術-Solibro
Solibro具有35年的技術研發及10年的實體生產經驗，涉及專利88項，已具有設備—工藝—產業化交鑰匙工程的集成能力和交付經驗，以及低產線建設和生產成本的集成控制能力。
核心共蒸發技術采用獨有的CIGS點源共蒸發技術，具有從下向上蒸發、多點源系統、相對較大的源與基板距離的特點。CIGS電池各功能性膜層在不同的專用設備中完成鍍膜。設備性能穩健（Robust），維護快速、產出率高、稼動率高，且具有很強的未來效率和工藝升級靈活性。
目前，Solibro可按客戶需求從設計CIGSPOWERLINE交鑰匙工程開始，直至產線啟動運行，提供全面支援，包括自主設計的CIGS共蒸發系統等全線設備，保證高品質的CIGS核心工藝以及高的元件轉化效率
銅銦鎵硒技術-MiaSolé
無論在轉換效率還是生產成本，CIGS薄膜技術均已可與晶硅媲美；且與晶硅相比，擁有諸多特性，如柔性襯底，更美觀和更高的熱表現等，使用效益遠多于多晶硅。
MiaSolé采用CIGS薄膜技術生產太陽能電池和元件。該薄膜技術是基于軸對軸平臺，其中所有由CIGS太陽能電池構成的薄膜層，均在單臺物理氣相沉積（PVD）流程系統中依次濺射沉積至單塊玻璃的柔性不銹鋼襯底之上，之后實現電池構成自動化以及進行100%線上測試以此構成的柔性電池制造，碳排放小、資本支出低；具有高生產率和低成本。生產的柔性電池用于玻璃和輕質柔性組件生產線、消費者產品及其它不同的運用。
MiaSolé已經向遍及五大洲超過三十個客戶交付了超過80MW的玻璃和柔性薄膜組件。
高效硅異質結技術-HIT
高效硅異質結技術是指帶有本征層非晶薄膜硅材料的異質結技術。該技術是在n型或者p型的單晶硅片正反兩面一共生長上6層薄膜，其本質是一種薄膜技術。本集團雙面SHJ電池的結構為Ag柵/ITO膜/p型非晶硅膜/本征非晶硅膜/n型單晶硅片/本征非晶硅膜/n型非晶硅膜/背面ITO膜/背面Ag柵。其中的非晶硅薄膜厚度只有5-10nm，可運用非晶硅的常規低溫沉積技術實現沉積（例如PECVD）。正反面ITO薄膜可由濺射法（PVD）制備，產業化成本較低。由于本征非晶硅膜對硅片表面良好的鈍化作用，使得器件的反向飽和電流降低了近2個數量級，電池的開路電壓和光電轉換效率得到大幅提升，可以實現25%以上的電池效率和23%以上的組件效率。高的組件效率可節省占地面積、支架和人工費用等BOS成本。同時，高的開路電壓帶來了較低的溫度系數（-0.29%/℃），使其在實際發電中有更好的電量輸出，相對常規晶硅組件發電量高出~6%。另外，其雙面對稱的電池結構可以實現雙面發電，根據不同的地面狀況和不同的安裝角度，相同裝機容量下相對晶硅單面組件有12-35%的發電增益，可進一步降低度電成本。本集團SHJ電池采用n型的單晶硅片，其組件在實際應用中不存在光致衰減（LID）和電致衰減（PID），環境穩定性更好。
產品特性：電池轉化效率23%以上，組件性能穩定，溫度系數低，高溫下功率輸出高，雙玻封裝壽命可達30年以上，且雙面均可發電，使發電量大幅增加。
目標市場：可廣泛用于分布式電站，光伏建筑壹體化，隔音墻，農/漁光互補，污水處理廠光伏發電，移動能源等市場。
非晶硅/硅鍺技術
非晶硅和硅鍺均為硅的非結晶同素異形體，可在低溫下沉降于不同種類的薄膜襯底之上。它為各種電子產品提供了一些獨特的功能。與多晶硅(mc-Si)相比，非晶硅的電子表現較低，然而在實際運用中更具靈活性。例如，非晶硅層可以制作得比晶硅更薄，可節約更多的硅基材料成本。
硅基的另一個顯著優勢在于其可在低溫下實現沉積（例如75℃），不僅能在玻璃上，而且能在廉價的塑膠上實現沉積，使之成為了軸對軸加工技術的最佳方案。沉積時，非晶硅可以類似多晶硅般摻雜其它物質，最終形成電子設備。非晶硅現已成為薄膜電晶體活躍層，液晶顯示幕（LCD）和薄膜電池及組件的核心原料。
非晶硅另一個優勢在于其可通過等離子增強化學氣相沉積（PECVD）實現大面積沉積。PECVD系統的設計將極大地影響非晶硅元件成本。因此，大多數設備提供商將重點放在設計制造高輸送量的PECVD設備以實現更低的生產成本。
通過基于硅鍺串聯生產線自主研發Fab2.0系統的技術突破，本集團實現了薄膜發電元件的更高轉換效率，更低的生產成本（減少約9%），提升了薄膜發電組件的成本效益和競爭力。
納米晶硅技術
納米晶硅有晶體硅內的非晶相顆粒，相對與完全由晶體硅顆粒構成的多晶硅，由顆粒邊界隔開。二者的區別在于晶體顆粒的大小：納米晶硅內的晶體顆粒多在納米級上下。因有晶體顆粒的存在，相比多晶硅而言，納米晶硅比非晶硅擁有更好的電子遷移率，增強了對紅光和紅外線波長的吸收，提升了光致穩定性，使之成為硅基薄膜太陽能電池的重要原材料。與非晶硅相似，納米晶硅同樣是薄膜電晶體的活躍層、薄膜太陽能電池和組件的上佳選擇。
納米晶硅最重要的優勢在于其擁有更好的穩定性，比非晶硅更容易制造，可運用非晶硅的常規低溫沉積技術實現沉積（例如PECVD），而無需使用制造晶硅的鐳射退火或高溫化學氣相沉積（CVD）流程。將納米晶硅和非晶硅/硅鍺技術結合成為多結太陽能電池，電池轉換效率可提升至12%以上，而成本卻能下降15%以上。
