砷化鎵技術(shù)-Alta

砷化鎵（GaAs）因其優(yōu)異的性能和可靠性，代表了光伏技術(shù)的領(lǐng)先水平。傳統(tǒng)的GaAs電池片極其昂貴，重且易碎，完全不適于移動電源系統(tǒng)。Alta Devices砷化鎵高效薄膜太陽能電池技術(shù)則具有高效率、低成本、發(fā)電性能優(yōu)異等特點，且產(chǎn)品輕質(zhì)柔性，可完美地應(yīng)用于移動電源系統(tǒng)。

Alta Devices在GaAs芯片上采用金屬有機物氣相沉積MOCVD技術(shù)完成光伏器件的外延生長，并采用濕法工藝把器件連同柔性襯底從芯片上剝離下來，之后根據(jù)用戶需求，制成不同尺寸的產(chǎn)品。Alta Devices自主開發(fā)的MOCVD快速生長技術(shù)和大面積外延層剝離技術(shù)，使其具有很大的成本降低潛力，并適合規(guī)模化生產(chǎn)。

銅銦鎵硒技術(shù)-GSE

GSE采用柔性共蒸發(fā)CIGS技術(shù)。該技術(shù)是在30微米厚不銹鋼襯底上通過卷對卷生產(chǎn)工藝（Roll to Roll）均勻沉積CIGS太陽電池器件的各功能性膜層，其優(yōu)勢為通過采用多點分布式蒸發(fā)源，提高沉積膜厚度均勻性；共蒸工序時間短（<4min）；原材料易獲得（Cu、In、Se顆粒，Ga液態(tài)）；雙XRF監(jiān)測共蒸發(fā)沉積膜厚及成分，偏離目標時自動調(diào)節(jié)蒸發(fā)源進行補償；原材料利用率高，共蒸室壁的材料可以充分回收利用；粉塵處理容易（更換護板），蒸發(fā)源維護便捷（6小時維護時間）。

此外，GSE還擁有獨有的ICI（Integrated Cell Interconnect）封裝技術(shù)。該技術(shù)采用圖形化的鍍膜方式制備內(nèi)部結(jié)構(gòu)更加致密的銅前電極，減少了遮擋面積，降低了元件串聯(lián)電阻，并通過激光焊接方式完成電池極連接，消除了短路問題，從電池到組件的效率損失大幅減小。

銅銦鎵硒技術(shù)-Solibro

Solibro具有35年的技術(shù)研發(fā)及10年的實體生產(chǎn)經(jīng)驗，涉及專利88項，已具有設(shè)備—工藝—產(chǎn)業(yè)化交鑰匙工程的集成能力和交付經(jīng)驗，以及低產(chǎn)線建設(shè)和生產(chǎn)成本的集成控制能力。

核心共蒸發(fā)技術(shù)采用獨有的CIGS點源共蒸發(fā)技術(shù)，具有從下向上蒸發(fā)、多點源系統(tǒng)、相對較大的源與基板距離的特點。CIGS電池各功能性膜層在不同的專用設(shè)備中完成鍍膜。設(shè)備性能穩(wěn)健（Robust），維護快速、產(chǎn)出率高、稼動率高，且具有很強的未來效率和工藝升級靈活性。

目前，Solibro可按客戶需求從設(shè)計CIGSPOWERLINE交鑰匙工程開始，直至產(chǎn)線啟動運行，提供全面支援，包括自主設(shè)計的CIGS共蒸發(fā)系統(tǒng)等全線設(shè)備，保證高品質(zhì)的CIGS核心工藝以及高的元件轉(zhuǎn)化效率

銅銦鎵硒技術(shù)-MiaSolé

無論在轉(zhuǎn)換效率還是生產(chǎn)成本，CIGS薄膜技術(shù)均已可與晶硅媲美；且與晶硅相比，擁有諸多特性，如柔性襯底，更美觀和更高的熱表現(xiàn)等，使用效益遠多于多晶硅。

MiaSolé采用CIGS薄膜技術(shù)生產(chǎn)太陽能電池和元件。該薄膜技術(shù)是基于軸對軸平臺，其中所有由CIGS太陽能電池構(gòu)成的薄膜層，均在單臺物理氣相沉積（PVD）流程系統(tǒng)中依次濺射沉積至單塊玻璃的柔性不銹鋼襯底之上，之后實現(xiàn)電池構(gòu)成自動化以及進行100%線上測試以此構(gòu)成的柔性電池制造，碳排放小、資本支出低；具有高生產(chǎn)率和低成本。生產(chǎn)的柔性電池用于玻璃和輕質(zhì)柔性組件生產(chǎn)線、消費者產(chǎn)品及其它不同的運用。

MiaSolé已經(jīng)向遍及五大洲超過三十個客戶交付了超過80MW的玻璃和柔性薄膜組件。

高效硅異質(zhì)結(jié)技術(shù)-HIT

高效硅異質(zhì)結(jié)技術(shù)是指帶有本征層非晶薄膜硅材料的異質(zhì)結(jié)技術(shù)。該技術(shù)是在n型或者p型的單晶硅片正反兩面一共生長上6層薄膜，其本質(zhì)是一種薄膜技術(shù)。本集團雙面SHJ電池的結(jié)構(gòu)為Ag柵/ITO膜/p型非晶硅膜/本征非晶硅膜/n型單晶硅片/本征非晶硅膜/n型非晶硅膜/背面ITO膜/背面Ag柵。其中的非晶硅薄膜厚度只有5-10nm，可運用非晶硅的常規(guī)低溫沉積技術(shù)實現(xiàn)沉積（例如PECVD）。正反面ITO薄膜可由濺射法（PVD）制備，產(chǎn)業(yè)化成本較低。由于本征非晶硅膜對硅片表面良好的鈍化作用，使得器件的反向飽和電流降低了近2個數(shù)量級，電池的開路電壓和光電轉(zhuǎn)換效率得到大幅提升，可以實現(xiàn)25%以上的電池效率和23%以上的組件效率。高的組件效率可節(jié)省占地面積、支架和人工費用等BOS成本。同時，高的開路電壓帶來了較低的溫度系數(shù)（-0.29%/℃），使其在實際發(fā)電中有更好的電量輸出，相對常規(guī)晶硅組件發(fā)電量高出~6%。另外，其雙面對稱的電池結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)雙面發(fā)電，根據(jù)不同的地面狀況和不同的安裝角度，相同裝機容量下相對晶硅單面組件有12-35%的發(fā)電增益，可進一步降低度電成本。本集團SHJ電池采用n型的單晶硅片，其組件在實際應(yīng)用中不存在光致衰減（LID）和電致衰減（PID），環(huán)境穩(wěn)定性更好。

產(chǎn)品特性：電池轉(zhuǎn)化效率23%以上，組件性能穩(wěn)定，溫度系數(shù)低，高溫下功率輸出高，雙玻封裝壽命可達30年以上，且雙面均可發(fā)電，使發(fā)電量大幅增加。

目標市場：可廣泛用于分布式電站，光伏建筑壹體化，隔音墻，農(nóng)/漁光互補，污水處理廠光伏發(fā)電，移動能源等市場。

非晶硅/硅鍺技術(shù)

非晶硅和硅鍺均為硅的非結(jié)晶同素異形體，可在低溫下沉降于不同種類的薄膜襯底之上。它為各種電子產(chǎn)品提供了一些獨特的功能。與多晶硅(mc-Si)相比，非晶硅的電子表現(xiàn)較低，然而在實際運用中更具靈活性。例如，非晶硅層可以制作得比晶硅更薄，可節(jié)約更多的硅基材料成本。

硅基的另一個顯著優(yōu)勢在于其可在低溫下實現(xiàn)沉積（例如75℃），不僅能在玻璃上，而且能在廉價的塑膠上實現(xiàn)沉積，使之成為了軸對軸加工技術(shù)的最佳方案。沉積時，非晶硅可以類似多晶硅般摻雜其它物質(zhì)，最終形成電子設(shè)備。非晶硅現(xiàn)已成為薄膜電晶體活躍層，液晶顯示幕（LCD）和薄膜電池及組件的核心原料。

非晶硅另一個優(yōu)勢在于其可通過等離子增強化學氣相沉積（PECVD）實現(xiàn)大面積沉積。PECVD系統(tǒng)的設(shè)計將極大地影響非晶硅元件成本。因此，大多數(shù)設(shè)備提供商將重點放在設(shè)計制造高輸送量的PECVD設(shè)備以實現(xiàn)更低的生產(chǎn)成本。

通過基于硅鍺串聯(lián)生產(chǎn)線自主研發(fā)Fab2.0系統(tǒng)的技術(shù)突破，本集團實現(xiàn)了薄膜發(fā)電元件的更高轉(zhuǎn)換效率，更低的生產(chǎn)成本（減少約9%），提升了薄膜發(fā)電組件的成本效益和競爭力。

納米晶硅技術(shù)

納米晶硅有晶體硅內(nèi)的非晶相顆粒，相對與完全由晶體硅顆粒構(gòu)成的多晶硅，由顆粒邊界隔開。二者的區(qū)別在于晶體顆粒的大小：納米晶硅內(nèi)的晶體顆粒多在納米級上下。因有晶體顆粒的存在，相比多晶硅而言，納米晶硅比非晶硅擁有更好的電子遷移率，增強了對紅光和紅外線波長的吸收，提升了光致穩(wěn)定性，使之成為硅基薄膜太陽能電池的重要原材料。與非晶硅相似，納米晶硅同樣是薄膜電晶體的活躍層、薄膜太陽能電池和組件的上佳選擇。

納米晶硅最重要的優(yōu)勢在于其擁有更好的穩(wěn)定性，比非晶硅更容易制造，可運用非晶硅的常規(guī)低溫沉積技術(shù)實現(xiàn)沉積（例如PECVD），而無需使用制造晶硅的鐳射退火或高溫化學氣相沉積（CVD）流程。將納米晶硅和非晶硅/硅鍺技術(shù)結(jié)合成為多結(jié)太陽能電池，電池轉(zhuǎn)換效率可提升至12%以上，而成本卻能下降15%以上。